Samsung zaprezentował swoją najnowszą, 10. generację pamięci V-NAND, która obiecuje zrewolucjonizować rynek magazynowania danych. Dzięki ponad 400 aktywnym warstwom i imponującej prędkości interfejsu 5,6 GT/s, firma ustanawia nowe standardy w branży. Wprowadzenie architektury hybrydowego łączenia oraz technologii Cell-on-Peripheral (CoP) świadczy o nieustannym dążeniu Samsunga do innowacji i doskonałości technologicznej.
W odróżnieniu od wcześniejszych generacji, 10. generacja V-NAND Samsunga wykorzystuje zaawansowaną architekturę hybrydowego łączenia. Polega ona na produkcji obwodów peryferyjnych na oddzielnym waflu z zastosowaniem technologii logicznej, a następnie łączeniu ich z waflem zawierającym trójwymiarową matrycę pamięci NAND. Takie podejście pozwala na znaczące zwiększenie prędkości interfejsu do 5,6 GT/s, co przekłada się na maksymalną przepustowość pojedynczego układu na poziomie 700 MB/s.
Dla porównania, konfiguracja z dziesięcioma takimi układami może w pełni wykorzystać interfejs PCIe 4.0 x4, podczas gdy dwadzieścia układów osiągnie maksymalną przepustowość PCIe 5.0 x4. Taka innowacja otwiera drzwi do tworzenia ultraszybkich dysków SSD oraz modułów UFS o konkurencyjnych pojemnościach.
Dyski SSD w naszej ofercie:
Zwiększona pojemność i gęstość upakowania danych
Nowa pamięć V-NAND oferuje pojemność 1 Tb na matrycę przy gęstości upakowania danych wynoszącej 28 Gb/mm². Chociaż jest to nieco mniej niż w przypadku wcześniejszych układów 3D QLC V-NAND Samsunga (28,5 Gb/mm²), to głównym celem tej generacji jest zwiększenie liczby warstw oraz wprowadzenie hybrydowego łączenia obwodów peryferyjnych.
Dzięki możliwości umieszczenia do 16 matryc w jednym pakiecie, możliwe jest stworzenie dysków SSD o pojemności sięgającej 2 TB na pakiet. W praktyce oznacza to, że cztery takie pakiety w jednostronnym dysku SSD M.2 2280 zapewnią 8 TB przestrzeni, a w dwustronnym – aż 16 TB. To znaczący krok naprzód w kierunku zaspokojenia rosnących potrzeb na pojemne i szybkie rozwiązania magazynowania danych.
Potencjalne zastosowania i przyszłość technologii V-NAND
Wprowadzenie 10. generacji V-NAND przez Samsunga ma potencjał, aby znacząco wpłynąć na rozwój przyszłych urządzeń magazynujących. Zwiększona przepustowość i pojemność otwierają nowe możliwości dla producentów dysków SSD oraz innych nośników danych, umożliwiając tworzenie urządzeń o niespotykanej dotąd wydajności i pojemności. Jednak dostępność rynkowa takich produktów będzie zależała od szybkości wdrożenia nowej technologii przez Samsunga oraz adaptacji przez partnerów biznesowych. Obecnie firma nie ujawniła jeszcze konkretnych planów dotyczących wprowadzenia 10. generacji V-NAND do swojej linii produktów SSD.
Samsung na czele innowacji w branży pamięci masowych
Dzięki wprowadzeniu 10. generacji V-NAND, Samsung umacnia swoją pozycję lidera w dziedzinie technologii pamięci masowych. Innowacyjne podejście do architektury układów oraz zwiększenie liczby warstw i prędkości interfejsu świadczą o nieustannym dążeniu firmy do doskonałości i odpowiadania na dynamicznie zmieniające się potrzeby rynku. Oczekuje się, że nowe rozwiązania znajdą szerokie zastosowanie w różnych sektorach, od konsumenckich urządzeń elektronicznych po zaawansowane systemy korporacyjne, przyczyniając się do dalszego rozwoju technologii cyfrowych na całym świecie.
